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關於IC基板你需要知道的一切

Feb 25 2026
源: DiGi-Electronics
瀏覽: 335

IC 基板是晶片封裝內的薄層載體。它透過將微小的晶片墊擴展到焊球間距,將矽晶片與主電路板連接起來,將訊號與電源路由,增加回流時的剛性,並幫助熱量擴散。本文提供有關基板類型、結構、材料、路由、工藝、表面處理、設計規則及可靠性檢查的資訊。

Figure 1. IC Substrate

IC基板概述

IC基板,也稱為IC封裝基板,是晶片封裝內的薄層載體。它位於矽晶片與主印刷電路板(PCB)之間。其主要任務是將晶片非常小的接觸墊連接到間距較遠的焊球,使封裝能與電路板相連。它也有助於固定晶片,防止封裝在加熱時過度彎曲,並讓熱量有更寬的路徑傳導到整個封裝和電路板。

IC基板與PCB比較

Figure 2. IC Substrate vs PCB Comparison

特色IC 基板標準 PCB
主要工作透過封裝接點將封裝內的矽晶片連接到電路板連接整個電路板上的零件與連接器
路由密度非常高的布線密度,線條和間距非常細緻比基材更寬的線條和間距,布線密度較低
Vias微孔常見於層間短且密集的垂直連接微孔可用於HDI板,但許多板子使用較大的孔
典型用途用於晶片封裝內,如 BGA、CSP 及翻轉晶片封裝作為手機、路由器和個人電腦等產品的主系統板使用

訊號透過IC基板路由

Figure 3. Signal Routing Through the IC Substrate

在封裝內部,基板提供短且受控的訊號與功率路徑,連接晶片與焊球。

• 晶片墊透過線接、凸起(翻轉晶片)或 TAB 連接基板。

• 內部層將訊號向外路由,同時保持阻抗目標一致。

• 電源平面與接地平面分配電流並減少電源反彈。

• 底部的焊球將封裝與主PCB連接。

核心與堆積基底結構

Figure 4. Core and Build-Up Substrate Structure

• 核心:結構骨幹;介質較厚;在使用時,支持機械剛度及更寬的走徑

• 堆積層:薄介電層 + 細銅布線以實現密集扇狀擴散

• 微孔:鄰近堆積層間的短垂直連結

常見的積體電路基板材料與選擇因子

物質家族範例典型優勢
剛性有機ABF、BT、環氧樹脂系統支援細緻的組裝路由,能良好擴展量產,並平衡電氣與機械需求
彈性有機聚醯亞胺基允許銑刀彎曲且保持纖細,有助於需要彈性連接的佈局
陶瓷Al₂O₃,AlN與許多有機材料相比,低熱膨脹以提升尺寸穩定性與強熱處理能力

依封裝型式的IC基板類型

底材類型最佳合適
BGA 基底支援高 I/O 數量及強大的整體封裝效能
CSP 底材專為體積緊湊的薄封裝設計
翻轉晶片基板使晶片與基板間的連接短且布線密度極高
MCM 基底支援在同一封裝中放置並連接多個晶片

晶片與基板互連方法

• 連接方式會影響墊片的佈局、間距限制及組裝需求。

• 線結合:細線連接晶片墊與基板上的結合指。

• 翻轉晶片:小凸起直接將晶片連接到基板上的焊盤,形成短電路徑。

• TAB:基於磁帶的黏合,利用薄膜承載並連接引腳,常用於需要磁帶格式時。

細線IC基板製造工藝

過程核心理念目的
減法從銅層開始,透過蝕刻廣泛使用且理解良好,且對多種基板層具有良好的重複性
加法僅在需要走線與焊盤時製造銅板,採用選擇性電鍍有助於形成非常細緻的特徵,並更緊密地控制小形狀
MSAP/mSAP使用薄層種子,然後以受控方式輕量雕刻支援較小的線條與空間目標,同時保持良好的厚度控制

微型外線形成與製造品質

Figure 5. Die-to-Substrate Interconnect Methods

微孔連接密集堆疊的堆疊層。由於體積小,其幾何結構與銅質對長期連續性與電阻穩定性有強烈影響。

雷射鑽孔會在鄰近層之間形成細小且淺的通孔。銅板覆蓋通氣壁,形成連續導電路徑。Via 填充能透過減少空洞和支撐墊來完成結構,當 via 位於墊底時,這很有幫助。

IC基板的表面處理

結尾它的幫助
ENIG提供平滑且可焊接的表面,並有助於防止銅腐蝕。
ENEPIG支持更多接合選項,並幫助形成堅固可靠的焊接點。
金色變體當表面需要穩定的接觸性能或適合某些結合方法的金層時,會使用。

影響產量的基質設計規則

線路/空間目標

早期鎖定最小線寬與間距,並保持目標與流程能在所有布線層一致重複的範圍對齊。

維亞策略

及早定義微過管層對與深度限制。為過孔、填報、以及任何保護精細路由的禁區訂立明確規則。

堆疊

及早修正核心與建置層數量,並為每層分配路由角色,避免路由變更後造成大幅堆疊重工。

曲速預算

定義回流與組裝步驟的翹曲極限,並控制銅平衡與層對稱性,以確保基板在極限內。

測試策略

規劃測試存取權以控制連續性和短路控制。預留足夠的發射台和路線路徑,避免隨著密度上升而覆蓋範圍縮減。

結論

IC基板透過提供密集的路由、電源與接地平面,以及透過微孔的短垂直連結來支援晶片封裝。其核心與組裝層決定了扇出能力與封裝剛性。材料選擇、細線工藝、微孔製造品質及表面處理都會影響結果。當量取決於線上/太空目標,透過策略、堆疊、曲速控制與測試規劃,並以AOI、電氣測試、截面及X光為後盾。

常見問題 [常見問題]

IC 基板能達到多大的線寬與間距?

IC基板在堆積層上可使用低於10微米的線/空間,進階製程則可使用更緊密的目標。

IC 基板有多厚?

厚度取決於封裝樣式與層數,薄CSP可低於0.3毫米,高層BGA則可超過1.0毫米。

哪些材料的電性質最為重要?

介電常數(Dk)、耗散因子(Df)及絕緣電阻。穩定 Dk 支援阻抗控制;低 DF 會降低訊號損失。

常見的積體基板失效模式有哪些?

球面處出現微孔裂紋、銅疲勞、層層剝離及焊點疲勞。

高速訊號帶來哪些額外設計需求?

更緊密的阻抗控制、短回波路徑、降低串擾,以及用實心參考平面謹慎的軌距。

IC 基板在 AI 與 HPC 套件中如何變化?

更高的層數、更細的線條/空間、更強的功率輸出、更大的機身尺寸,以及更佳的多晶片或晶片組配置支援。

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