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NESG270034-T1-AZ
CEL
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSIS
40545 全新原裝現貨
RF Transistor NPN 9.2V 750mA 1.9W Surface Mount SOT-89
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NESG270034-T1-AZ
產品概述
12995428
零件編號
NESG270034-T1-AZ-DG製造商
CEL
NESG270034-T1-AZ
描述
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSIS庫存
40545 全新原裝現貨
RF Transistor NPN 9.2V 750mA 1.9W Surface Mount SOT-89
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NESG270034-T1-AZ 技術規格
類別
晶體管, 雙極性晶體管 (BJT), 雙極射頻晶體管
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
9.2V
頻率 - 過渡
-
雜訊係數 （dB Typ @ f）
-
獲得
19.5dB
功率 - 最大值
1.9W
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 100mA, 3V
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
750mA
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
TO-243AA
供應商設備包
SOT-89
資料表及文件
HTML 資料表
NESG270034-T1-AZ-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
3923-NESG270034-T1-AZTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
非常喜歡Di Digi Electronics的快速出貨速度，真的讓我省了很多時間，讚！
Dec 02, 2025
Their affordability and personalized service make them my first choice for electronics.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
NPN 硅中功率射頻晶體管的主要特點有哪些？
此 NPN 射頻晶體管在 9.2V 工作電壓下運行，最大集電極電流為 750mA，功率輸出達 1.9W。它的增益為 19.5dB，專為 SOT-89 表面貼裝封裝設計，適用於高頻射頻電路。
這款雙極射頻晶體管是否與特定的電子設備或電路相容？
是的，這款雙極射頻晶體管適用於各種射頻放大與開關應用，尤其在需要高增益與中等功率的場合。其 SOT-89 表面貼裝封裝使其能與多種緊湊型電路設計相兼容。
使用此 SOT-89 封裝射頻晶體管有何優點？
SOT-89 封裝提供出色的散熱性能與可靠的表面安裝，適合高密度電路設計。此外，該晶體管的高增益與高效率提升整體電路性能。
這款射頻晶體管是否仍有現貨出售？提供哪些保固或售後服務？
目前庫存充足，超過36,000個供應中。由於為全新原廠產品，享有標準保固與售後支持，但由於已標記為停產，請向供應商確認具體的售後方案。
在使用此射頻晶體管時應該注意哪些事項？
請確保良好的散熱措施，並嚴格遵守最大電壓（9.2V 集極-發射極）與最大電流（750mA 集極電流）的規範，以維持最佳性能並防止損壞。亦建議確認其頻段範圍與您的應用相容。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
NESG270034-T1-AZ CAD Models
CEL NESG270034-T1-AZ PCB symbols & footprints
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