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FS03MR12A6MA1LB
Infineon Technologies
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
36100 全新原裝現貨
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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FS03MR12A6MA1LB
產品概述
12963909
零件編號
FS03MR12A6MA1LB-DG
FS03MR12A6MA1LB
描述
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD庫存
36100 全新原裝現貨
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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FS03MR12A6MA1LB 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
包裝
-
系列
HybridPACK™
產品狀態
Active
科技
Silicon Carbide (SiC)
配置
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
1200V (1.2kV)
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.55V @ 240mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1320nC @ 15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
42600pF @ 600V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Chassis Mount
包裝 / 外殼
Module
供應商設備包
AG-HYBRIDD-2
基本產品編號
FS03MR12
資料表及文件
HTML 資料表
FS03MR12A6MA1LB-DG
數據表
FS03MR12A6MA1LB
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
6
其他名稱
448-FS03MR12A6MA1LB
SP002725554
Reviews
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Dec 02, 2025
환경을 생각하는 포장이 너무 좋아서 재주문하고 싶어요.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
英飛凌紋脈陣列 FS03MR12A6MA1LB 的額定電壓是多少？
該紋脈陣列具有 1200V（1.2kV）的漏極至源極電壓（Vdss），適用於高壓電力應用。
英飛凌混合集成式 MOSFET 陣列是否兼容大電流應用？
是的，該 MOSFET 陣列在 25°C 時能承受最高 400A 的連續漏極電流，非常適合高電流電力電子裝置。
使用碳化矽（SiC）MOSFET 如 HybridPACK™ 系列的主要優點是什麼？
碳化矽 MOSFET 相較傳統硅器件，具有較高的效率、更快的開關速度以及更佳的熱性能，提升整體系統的可靠性。
英飛凌 MOSFET 陣列能用於工業電動機驅動器及電力轉換器嗎？
可以，FS03MR12A6MA1LB 適用於高壓大電流的工業電動機驅動系統、逆變器及其他電力轉換應用。
此 MOSFET 模組的安裝型式與封裝為何？是否符合 RoHS 標準？
該紋脈陣列為機箱安裝型，採用 AG-HYBRIDD-2 封裝，並符合 RoHS3 標準，確保環保製造標準。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
FS03MR12A6MA1LB CAD Models
Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB PCB symbols & footprints
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