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IAUC100N04S6N022ATMA1
Infineon Technologies
IAUC100N04S6N022ATMA1
1000200 全新原裝現貨
N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
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IAUC100N04S6N022ATMA1
產品概述
12954108
零件編號
IAUC100N04S6N022ATMA1-DG
IAUC100N04S6N022ATMA1
描述
IAUC100N04S6N022ATMA1庫存
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IAUC100N04S6N022ATMA1 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
40 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.26mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 32µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2421 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
75W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
IAUC100
資料表及文件
HTML 資料表
IAUC100N04S6N022ATMA1-DG
數據表
IAUC100N04S6N022
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
448-IAUC100N04S6N022ATMA1CT
SP001790496
448-IAUC100N04S6N022ATMA1TR
448-IAUC100N04S6N022ATMA1DKR
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1 MOSFET 的主要功能是什麼？
Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1 為一款N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），專為切換應用設計，能承受高達100安培的電流及40伏特的電壓，適用於車用電子及電源管理領域。
這款 IAUC100N04S6N022ATMA1 適用於車用應用嗎？
是的，該MOSFET符合AEC-Q101認證標準，專為車用環境設計，確保在嚴苛工作條件下的可靠性與性能。
此款MOSFET的主要電氣規格有哪些？
其具有40V的漏源電壓（Vds）、在50A及10V條件下Rds（on）為2.26毫歐姆，且在25°C時最大連續漏電流達100安培，具高效能的電力切換能力。
IAUC100N04S6N022ATMA1的封裝方式如何影響安裝？
此款MOSFET採用帶有8個PowerTDFN的帶狀卷帶（Tape & Reel）封裝，適用於貼片式表面安裝在電路板上，便於自動化製造流程。
選擇此款MOSFET相較其他類型有何優勢？
該MOSFET具有低導通電阻（Rds(on)）、高電流承載能力，以及-55°C至175°C的寬工作溫範圍，能提供高效的電力控制與耐用性，適合嚴苛工作環境。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
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Infineon Technologies IAUC100N04S6N022ATMA1 PCB symbols & footprints
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