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Infineon Technologies
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
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N-Channel 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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IAUT300N10S5N014ATMA1

產品概述

12968958

零件編號

IAUT300N10S5N014ATMA1-DG
IAUT300N10S5N014ATMA1

描述

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8

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89822 全新原裝現貨
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IAUT300N10S5N014ATMA1 技術規格

類別 晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

包裝 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 OptiMOS™

產品狀態 Active

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 100 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 360A (Tj)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 3.8V @ 275µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 216 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 16011 pF @ 50 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 375W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 Surface Mount

供應商設備包 PG-HSOF-8-1

包裝 / 外殼 8-PowerSFN

資料表及文件

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
2,000
其他名稱
448-IAUT300N10S5N014ATMA1DKR
SP005427384
448-IAUT300N10S5N014ATMA1TR
448-IAUT300N10S5N014ATMA1CT

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あ***り
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)

英飛凌 OptiMOS™ N-通道 MOSFET 主要特點是什麼?

該 MOSFET 具有 100V 碎掃電壓、360A 連續漏極電流、低 Rds(on) 為 1.4mΩ,以及最大功耗達 375W,適用於高電流切換應用。

這款 MOSFET 是否兼容表面安裝電路設計?

是的,它為表面安裝元件,採用 PG-HSOF-8-1 封裝,設計方便整合入表面安裝電路板。

此 100V、360A 的 MOSFET 適用於哪些應用?

此高電流 MOSFET 非常適用於電源供應器、電動馬達控制及其他高功率切換應用,需高效率表現的場合。

此 MOSFET 的最大工作溫度範圍是多少?

該 MOSFET 能在 -55°C 至 175°C 的範圍內運作,適用於各類工業與電子環境。

此 MOSFET 是否符合 RoHS 與 REACH 標準?

是的,該 MOSFET 符合 RoHS 3 項標準,並且不受 REACH 限制,確保環保與安全使用。

質量保證 (QC)

DiGi 透過專業檢查和批次抽樣,確保每個電子元件的品質和真實性,保證可靠的貨源、穩定的性能,以及符合技術規格,幫助客戶降低供應鏈風險,自信地在生產中使用元件。

質量保證
假貨及缺陷預防

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全面篩查以識別假貨、翻新或有缺陷的零件,確保只交付正品及合規的配件。

視覺及包裝檢查

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電氣性能驗證

驗證零件外觀、標記、日期碼、包裝完整性及標籤一致性,以確保可追溯性和合規性

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