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IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 全新原裝現貨
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1
產品概述
12803539
零件編號
IPP041N12N3GXKSA1-DG
IPP041N12N3GXKSA1
描述
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3庫存
200457 全新原裝現貨
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Tube
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
120 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 270µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP041
資料表及文件
HTML 資料表
IPP041N12N3GXKSA1-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
何為英飛凌OptiMOS™ N-通道MOSFET（IPP041N12N3GXKSA1）的主要特點？
此款MOSFET支持120V的漏極-源極電壓，以及在25°C時的連續漏極電流120A，具有低導通電阻4.1毫歐姆，適用於高功率開關應用。採用TO-220-3封裝設計，方便安裝並可靠運作。
此款120V 120A的MOSFET適用於哪些應用領域？
此款MOSFET非常適合用於電源轉換器、馬達驅動以及需要高電流開關的電路中，尤以高效率電力管理與良好的散熱性能為主要特色。其堅固設計確保在嚴苛電子環境中的耐用性。
此款N-通道MOSFET是否兼容現有電子設計？
是的，IPP041N12N3GXKSA1兼容標準閘極驅動電壓，閘極閾值為4V，適用於多種開關電源設計與嵌入式系統。
選擇英飛凌OptiMOS™系列MOSFET有何優點？
OptiMOS™系列MOSFET以低導通電阻、高效率及卓越的熱性能著稱，有助於降低能量損耗並提升系統整體可靠性。
此款MOSFET產品提供哪些保固與支持？
作為符合RoHS3標準且有實體庫存的產品，該MOSFET由製造商提供支援與品質保障，供貨快速，適合各種專案需求。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
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