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IPT010N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
89922 全新原裝現貨
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
5.0 / 5.0 - (118 評分)

IPT010N08NM5ATMA1

產品概述

12958110

零件編號

IPT010N08NM5ATMA1-DG
IPT010N08NM5ATMA1

描述

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8

庫存

89922 全新原裝現貨
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT010N08NM5ATMA1 技術規格

類別 晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

包裝 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 OptiMOS™

產品狀態 Active

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 80 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 43A (Ta), 425A (Tc)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 3.8V @ 280µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 223 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 40 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 3.8W (Ta), 375W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 Surface Mount

供應商設備包 PG-HSOF-8

包裝 / 外殼 8-PowerSFN

基本產品編號 IPT010N

資料表及文件

HTML 資料表

IPT010N08NM5ATMA1-DG

數據表

IPT010N08NM5

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
2,000
其他名稱
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
晨***微笑
Dec 02, 2025
5.0
他們的包裝用了很多可再生材料,且完全沒有塑膠味,環保又健康,配送速度也很快,滿意!
Her***cht
Dec 02, 2025
5.0
Jeder Kauf bei DiGi Electronics bestätigt mich in meiner Entscheidung. Sehr vertrauenswürdig.
Inn***low
Dec 02, 2025
5.0
DiGi Electronics' efficient logistics support complements their inventory system perfectly.
Even***Glow
Dec 02, 2025
5.0
The combination of competitive prices and sturdy packaging is what keeps me coming back.
Shini***ourney
Dec 02, 2025
5.0
DiGi Electronics provides premium value at a fraction of the cost of competitors.
Wildf***erCove
Dec 02, 2025
5.0
Customer support was quick to respond and very helpful after my purchase.
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常見問題 (FAQ)

Infineon OptiMOS™ N通道MOSFET(IPT010N08NM5ATMA1)的主要特點是什麼?

此MOSFET具有80V漏源電壓、在150A條件下較低的Rds On(1.05毫歐),並支援最高43A(Ta)及425A(Tc)的高電流能力。採用表面貼裝的PG-HSOF-8封裝設計,適用於高效能開關電路,並可在-55℃至175℃的寬溫範圍內穩定運作。

Infineon IPT010N08NM5ATMA1 MOSFET是否適用於高電流切換應用?

是的,該MOSFET非常適合高電流切換應用,能在25℃時持續承受43A電流,並在脈衝情況下達到425A(Tc),非常適用於高要求的電源管理及馬達驅動等場景。

這款MOSFET的閘極驅動電壓兼容性如何?

這款MOSFET支援6V及10V的閘極驅動電壓,確保在低Rds On運作下具有良好的效能並提供操作靈活性,適合多種電路系統設計。

我可以大量購買此款MOSFET嗎?並且它是否採用標準封裝?

是的,該產品有大量庫存超過九萬件,採用帶卷(Tape & Reel, TR)封裝,方便自動化組裝及在生產中保持穩定的運送品質。

Infineon IPT010N08NM5ATMA1 MOSFET有哪些認證與環境符合規範?

此MOSFET符合RoHS3標準、不影響REACH,並具有無限的濕氣敏感度等級(MSL 1),確保符合國際電子元件的環境安全與品質標準。

質量保證 (QC)

DiGi 透過專業檢查和批次抽樣,確保每個電子元件的品質和真實性,保證可靠的貨源、穩定的性能,以及符合技術規格,幫助客戶降低供應鏈風險,自信地在生產中使用元件。

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