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IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
90022 全新原裝現貨
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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產品概述
12974925
零件編號
IPT039N15N5ATMA1-DG
IPT039N15N5ATMA1
描述
OPTIMOS 5 POWER MOSFET庫存
90022 全新原裝現貨
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT039N15N5ATMA1 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
150 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.6V @ 257µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
7700 pF @ 75 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 319W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-HSOF-8
包裝 / 外殼
8-PowerSFN
資料表及文件
HTML 資料表
IPT039N15N5ATMA1-DG
數據表
IPT039N15N5
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Une équipe de support client très à l'écoute et réactive.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
Infineon OptiMOS™ 5 功率MOSFET的主要特點是什麼？
Infineon OptiMOS™ 5 功率MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，漏源电压为150V，25°C 时连续漏电流为21A，具有低Rds(On)和優秀的散熱能力，适用于高效切换应用。
Infineon OptiMOS™ 5 功率MOSFET是否兼容表面贴装设计？
是的，该MOSFET采用表面贴装PG-HSOF-8封装，适合现代电子设备中紧凑且高密度的印刷电路板设计。
OptiMOS™ 5 功率MOSFET适用于哪些应用？
适用于電源管理、馬達控制、直流轉直流轉換器（DC-DC轉換器）及其他高效率切換電源供應方案，因其大電流承載能力與低Rds(On)。
使用Infineon OptiMOS™ 5 MOSFET相較其他類型有何優勢？
該MOSFET具有低導通損耗、高散熱能力，以及在寬溫範圍內的可靠運行，提升整體系統效率與耐用性。
OptiMOS™ 5 功率MOSFET是否提供可靠存貨與技術支援？
是的，該產品現貨充足，庫存超過九萬件，能確保及時交貨與穩定供應，並提供全面的RoHS認證支持。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
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