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IRF100P218AKMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
2100 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF100P218AKMA1
產品概述
12949151
零件編號
IRF100P218AKMA1-DG
IRF100P218AKMA1
描述
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC庫存
2100 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF100P218AKMA1 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Tube
系列
StrongIRFET™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
209A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.8V @ 278µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
412 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
24000 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 556W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
資料表及文件
HTML 資料表
IRF100P218AKMA1-DG
數據表
IRF100P218
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
25
其他名稱
SP005537804
448-IRF100P218AKMA1
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質量保證 (QC)
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IRF100P218AKMA1 CAD Models
Infineon Technologies IRF100P218AKMA1 PCB symbols & footprints
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