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PSMN2R3-100SSEJ
Nexperia USA Inc.
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
120400 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
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PSMN2R3-100SSEJ
產品概述
12993034
零件編號
PSMN2R3-100SSEJ-DG
PSMN2R3-100SSEJ
描述
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE庫存
120400 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
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PSMN2R3-100SSEJ 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
255A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
17200 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
341W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
LFPAK88 (SOT1235)
包裝 / 外殼
SOT-1235
基本產品編號
PSMN2R3
資料表及文件
HTML 資料表
PSMN2R3-100SSEJ-DG
數據表
PSMN2R3-100SSE
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
934661573118
5202-PSMN2R3-100SSEJTR
1727-PSMN2R3-100SSEJCT
1727-PSMN2R3-100SSEJDKR
1727-PSMN2R3-100SSEJTR
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PSMN2R3-100SSEJ CAD Models
Nexperia USA Inc. PSMN2R3-100SSEJ PCB symbols & footprints
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