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PMPB40SNA115
NXP USA Inc.
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
1381 全新原裝現貨
N-Channel 60 V 12.9A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
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PMPB40SNA115
產品概述
12935922
零件編號
PMPB40SNA115-DG製造商
NXP USA Inc.
PMPB40SNA115
描述
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR庫存
1381 全新原裝現貨
N-Channel 60 V 12.9A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
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PMPB40SNA115 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12.9A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
612 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DFN2020MD-6
包裝 / 外殼
6-UDFN Exposed Pad
資料表及文件
HTML 資料表
PMPB40SNA115-DG
數據表
Datasheet
環境及出口分類
RoHS 狀態
Not applicable
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
2156-PMPB40SNA115
NEXNXPPMPB40SNA115
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
每次來這裡都很愉快，價格合理，服務親切，品質可靠。
Dec 02, 2025
低価格なのに、サポートの質が非常に高くて驚きました。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
NXP PMPB40SNA115 MOSFET的主要特點是什麼？
PMPB40SNA115是一款高性能的N通道MOSFET，具有60V的漏極至源極電壓、12.9A的連續漏電流以及低RdsOn值43毫歐。它適用於需要高效能能源管理的電力開關應用。
NXP PMPB40SNA115 MOSFET如何提升電子設備的電力效率？
此款MOSFET的低RdsOn以及良好的散熱能力，能有效降低切換時的能量損耗，提升整體電路的能源效率，並減少熱量產生。
NXP PMPB40SNA115 MOSFET是否兼容表面安裝電路板設計？
是的，它採用表面貼裝的DFN2020MD-6封裝，非常適合緊湊型電路板佈局及現代電子產品中的自動化裝配流程。
NXP PMPB40SNA115 MOSFET的常見應用範圍是什麼？
此MOSFET廣泛應用於電源管理、馬達控制、切換電源及其他高電流、高電壓需求的應用中，提供可靠且高效的電力切換性能。
NXP PMPB40SNA115 MOSFET的保固及售後服務選項是什麼？
由於該產品為新貨且現貨在庫，通常提供廠商保固和售後支援服務。具體的售後協助與退貨政策，請聯繫供應商了解詳細資訊。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
PMPB40SNA115 CAD Models
NXP USA Inc. PMPB40SNA115 PCB symbols & footprints
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