PMPB40SNA115 NXP USA Inc.
4.9 / 5.0 - (438 評分)

PMPB40SNA115

產品概述

12935922

零件編號

PMPB40SNA115-DG

製造商

NXP USA Inc.
PMPB40SNA115

描述

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

庫存

線上報價請求
N-Channel 60 V 12.9A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
單個FET，MOSFET
PMPB40SNA115 數據表
數量
最低限1

購買和查詢

報價請求 (Request for Quotations)

您可以直接在產品詳細頁面或報價請求頁面提交您的報價請求查詢。我們的銷售團隊將在24小時內回覆您的請求。

付款方式

我們提供多種方便的付款方式，包括PayPal（建議新客戶使用）、信用卡和美元、歐元、港元及其他貨幣的電匯（T/T）。

重要通知

在您發送報價請求後，您會在收件箱收到一封電子郵件，告知我們已收到您的查詢。如果您沒有收到，可能是我們的電子郵件地址被錯誤識別為垃圾郵件。請檢查您的垃圾郵件夾，並將我們的電子郵件地址 [email protected] 添加到您的白名單中，以確保您能夠收到我們的報價。由於庫存和價格波動的可能性，我們的銷售團隊需要重新確認您的查詢或訂單，並及時通過電子郵件向您發送任何更新。如果您有任何其他問題或需要額外幫助，請隨時告訴我們。

請求報價(明天發貨)
數量
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您

PMPB40SNA115 技術規格

類別 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET

製造商 NXP Semiconductors

包裝 -

系列 -

產品狀態 Active

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 （Vdss） 60 V

電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C 12.9A (Tc)

驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on） 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 3V @ 250µA

柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs 24 nC @ 10 V

Vgs （最大值） ±20V

輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds 612 pF @ 30 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 Surface Mount

供應商設備包 DFN2020MD-6

包裝 / 外殼 6-UDFN Exposed Pad

資料表及文件

資料表

下載 PMPB40SNA115 產品規格 (PDF)
HTML 資料表

PMPB40SNA115-DG
數據表

Datasheet

環境及出口分類

RoHS 狀態 Not applicable
濕氣敏感度等級 （MSL） 1 (Unlimited)
REACH 狀態 Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
2156-PMPB40SNA115
NEXNXPPMPB40SNA115
DIGI 認證
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
相關產品
博客及帖子
Latest Advancements in Integrated Circuit Technology: Analysis of Five Cutting-Edge Technologies
Jan 18 2025
Advances in Inductor Technology: Innovative Applications of LTCC and High-Frequency Resonant Converters
Jan 18 2025
電路保護：確保工業和汽車電子系統安全的關鍵技術
Jan 18 2025