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MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
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N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
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FCH043N60

產品概述

12839481

零件編號

FCH043N60-DG

製造商

onsemi
FCH043N60

描述

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3

庫存

1411 全新原裝現貨
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FCH043N60 技術規格

類別 晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

製造商 onsemi

包裝 -

系列 SuperFET® II

產品狀態 Obsolete

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 600 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 75A (Tc)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 250µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 592W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 Through Hole

供應商設備包 TO-247-3

包裝 / 外殼 TO-247-3

基本產品編號 FCH043

資料表及文件

HTML 資料表

FCH043N60-DG

數據表

FCH043N60

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL) Not Applicable
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
30
其他名稱
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS

替代零件

部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
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Lach***icht
Dec 02, 2025
5.0
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
Inn***ight
Dec 02, 2025
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The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
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I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
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常見問題 (FAQ)

FCH043N60 onsemi MOSFET 的主要特性與規格為何?

FCH043N60 是一款N通道金氧半場效應晶體管,額定電壓為600V,在25°C時持續漏極電流為75A。其在38A且10V閘源電壓下的Rds On值為43毫歐,適用於高壓大功率應用。該器件採用穿孔式安裝於TO-247-3封裝,工作溫度範圍為-55°C至150°C。

onsemi的FCH043N60 MOSFET是否適用於高電壓開關應用?

是的,FCH043N60專為高電壓開關設計,漏極至源極電壓為600V,並且在案例溫度下的功率耗散能力 maksimum 為592W,適合用於電源轉換與逆變電路。

FCH043N60 MOSFET是否與標準閘極驅動電壓相容?

是的,此MOSFET最大的閘源電壓為±20V,建議驅動電壓為10V,能確保在各種電力電子系統中可靠切換性能。

使用SuperFET® II系列MOSFET如FCH043N60有何優點?

SuperFET® II系列MOSFET具有低Rds On、高電壓耐受性及高功率耗散能力,能提升系統效率與散熱性能,有助於降低系統損失,提升整體性能。

我可以在哪裡找到FCH043N60 MOSFET的支援與購買渠道?其供貨情況如何?

FCH043N60目前存貨量為1,638件,適用於多種高電壓MOSFET應用。雖然已列為停產,但可透過授權代理商購買,也可考慮替代品,如SIHG64N65E-GE3或IXTQ18N60P等。

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