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FDC5661N
onsemi
FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
38300 全新原裝現貨
N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
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FDC5661N
產品概述
12969778
零件編號
FDC5661N-DG製造商
onsemi
FDC5661N
描述
FET 60V 50.0 MOHM SSOT6庫存
38300 全新原裝現貨
N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
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FDC5661N 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.3A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
763 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TSOT-23-6
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本產品編號
FDC5661
資料表及文件
HTML 資料表
FDC5661N-DG
數據表
FDC5661N
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
488-FDC5661NCT
488-FDC5661NTR
488-FDC5661NDKR
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
FDC5661N N-通道MOSFET的主要特點是什麼？
FDC5661N為一款額定電壓60V的N-通道MOSFET，在10V閘源電壓（Vgs）下具有低阻置（Rds On）47毫歐，連續漏極電流為4.3安培，最大功率耗散為1.6瓦特。該器件採用表面貼裝封裝（TSOT-23-6），適用於高效能電源切換應用。
FDC5661N MOSFET是否兼容標準表面貼裝電路板設計？
是的，FDC5661N採用TSOT-23-6封裝，具有良好的表面貼裝特性，與標準電路板組裝工藝相容，適用於各類電子設備的空間優化設計。
哪些應用領域可以受益於使用FDC5661N MOSFET？
此MOSFET非常適合用於電源管理、切換電源、馬達控制以及LED驅動電路，得益於其高電壓承受能力與低Rds On特性，可提升電路效率與熱性能。
FDC5661N的功率耗散與熱範圍如何影響其使用方式？
該器件最大功率耗散為1.6瓦特，工作溫度範圍從-55°C到150°C，能在高溫環境下穩定運行，適用於高溫與高功率切換應用，不易過熱。
購買FDC5661N MOSFET時需要了解哪些信息及保固呢？
FDC5661N提供帶帶式包裝（Tape & Reel），方便自動化貼片，庫存超過34,000個單位。此產品由onsemi原廠原裝正品供應，符合RoHS3標準，享有廠商標準保固與支援服務。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
FDC5661N CAD Models
onsemi FDC5661N PCB symbols & footprints
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