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FDMA530PZ
onsemi
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
29408 全新原裝現貨
P-Channel 30 V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
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FDMA530PZ
產品概述
12851153
零件編號
FDMA530PZ-DG製造商
onsemi
FDMA530PZ
描述
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET庫存
29408 全新原裝現貨
P-Channel 30 V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
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FDMA530PZ 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.8A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1070 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.4W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
6-MicroFET (2x2)
包裝 / 外殼
6-WDFN Exposed Pad
基本產品編號
FDMA530
資料表及文件
HTML 資料表
FDMA530PZ-DG
數據表
FDMA530PZ
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDMA530PZTR
2156-FDMA530PZ-OS
FDMA530PZCT
FDMA530PZDKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
onsemi FDMA530PZ P通道金屬氧化物半導體場效應晶體管的主要特點與規格為何？
FDMA530PZ 為一款 P通道 MOSFET，額定漏極至源極電壓為 30V，連續漏電流為 6.8A，並在 10V Vgs 時具有低 Rds On ，僅 35 毫歐。其設計適用於表面黏著應用，封裝尺寸為 6-MicroFET（2x2）。
onsemi FDMA530PZ MOSFET 可應用於哪些場合？
此 MOSFET 適用於電源管理、負載切換以及馬達控制等多種電子設備，尤其在需要高效率切換與低導通電阻的應用中具備優勢。
onsemi FDMA530PZ 是否與標準電路電壓與控制訊號相容？
是的，FDMA530PZ 的最大閘源電壓（Vgs）為 ±25V，並且在 4.5V 至 10V 的閘極驅動電壓下能達到最佳 Rds On，與一般邏輯控制電路相容。
在我的專案中使用 onsemi FDMA530PZ MOSFET 有哪些優點？
FDMA530PZ 具有低 Rds On、高散熱能力（最高 2.4W），以及寬廣的工作溫度範圍（-55°C 至 150°C），確保在嚴苛環境中依然穩定可靠的表現。
onsemi FDMA530PZ MOSFET 是否具有可靠的封裝與合規標準？
是的，它採用符合 ROHS3 標準的 6-WDFN 暴露焊墊封裝，並提供帶帶卷供自動貼片裝配，符合多項產業標準與法規。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
FDMA530PZ CAD Models
onsemi FDMA530PZ PCB symbols & footprints
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