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FDMS86150A
onsemi
FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
2960 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 16A (Ta), 60A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount Power56
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FDMS86150A
產品概述
12974278
零件編號
FDMS86150A-DG製造商
onsemi
FDMS86150A
描述
FET 100V 4.85 MOHM PQFN56庫存
2960 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 16A (Ta), 60A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount Power56
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FDMS86150A 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
16A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4665 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.7W (Ta), 113W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
Power56
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
資料表及文件
HTML 資料表
FDMS86150A-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
488-FDMS86150ADKR
488-FDMS86150ACT
488-FDMS86150ATR
2832-FDMS86150ATR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
アフターサービスの対応も迅速で、安心して長く使える会社だと感じています。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
onsemi FDMS86150A MOSFET的主要特點是什麼？
FDMS86150A是一款N通道MOSFET，額定電壓為100V，低導通電阻Rds On為4.85毫歐，適用於高效率的電力應用。它支持最大連續漏極電流達到16A，並配備表面黏著式Power56封裝，便於安裝。
onsemi FDMS86150A是否適用於大電流或高電壓電路？
是的，該MOSFET設計能承受高達100V的漏極-源極電壓，在25°C時的連續漏電流可達16A（在外殼溫度下可至60A）。它在高電流、高電壓開關應用中表現出色。
PowerTrench® FDMS86150A MOSFET的典型應用有哪些？
FDMS86150A非常適合用於電力開關、負載驅動、電動機控制以及電源管理電路，尤其適合緊湊設計，因為采用表面黏著式Power56封裝，方便布局與散熱。
FDMS86150A在功率耗散與熱性能方面的表現如何？
該MOSFET在自由空氣條件下的最大功率耗散為2.7W，若配合適當散熱器可達到113W的散熱能力，在-55°C至150°C的溫度範圍內運作，確保在多種環境下的可靠性能。
FDMS86150A MOSFET提供哪些保固與售後支援？
作為現貨銷售的在庫產品，FDMS86150A為原廠全新正品。客戶支持與技術協助通常可由製造商或授權經銷商提供，保證產品的品質與可靠性。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
FDMS86150A CAD Models
onsemi FDMS86150A PCB symbols & footprints
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