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NTH4L040N120SC1
onsemi
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
9738 全新原裝現貨
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L040N120SC1
產品概述
12938497
零件編號
NTH4L040N120SC1-DG製造商
onsemi
NTH4L040N120SC1
描述
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4庫存
9738 全新原裝現貨
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L040N120SC1 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
58A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 10mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1762 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
319W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-4L
包裝 / 外殼
TO-247-4
基本產品編號
NTH4L040
資料表及文件
HTML 資料表
NTH4L040N120SC1-DG
數據表
NTH4L040N120SC1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
Reviews
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Dec 02, 2025
商品の発送が早く、すぐに受け取ることができました。品質も素晴らしいです。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
NTH4L040N120SC1 碳化硅MOSFET的主要特點與優勢是什麼？
NTH4L040N120SC1具有1200V的高耐壓能力和58A的連續漏極電流，適用於高功率應用。其碳化硅技術確保高效切換與低導通電阻，降低能量損失與發熱量。
NTH4L040N120SC1 MOSFET能與常見電子電路相容嗎？
可以，該N-channel MOSFET的最大閘極峰電壓（Vgs）為+25V 和-15V，與標準電路控制電壓兼容。其PT 包裝採用TO-247-4L自插式，便於融入各種安裝布局。
NTH4L040N120SC1 MOSFET的典型應用領域有哪些？
這款高壓碳化硅MOSFET非常適用於電源供應器、馬達驅動器以及高壓開關應用，追求高效性能與可靠性時的最佳選擇。
NTH4L040N120SC1在熱性能方面如何幫助裝置設計？
它在25°C時最大功率耗散可達319W，工作溫度範圍從-55°C到175°C，提供出色的熱性能，能在嚴苛環境中穩健運作。
NTH4L040N120SC1是否提供保固或售後支援？
作為現貨原廠產品，供應商為可靠的onsemi。若需具體保固或售後支援，建議直接聯繫供應商或授權經銷商。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
NTH4L040N120SC1 CAD Models
onsemi NTH4L040N120SC1 PCB symbols & footprints
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