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MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
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N-Channel 80 V 6.6A (Ta), 22A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NTTFS6H880NLTAG

產品概述

12938551

零件編號

NTTFS6H880NLTAG-DG

製造商

onsemi
NTTFS6H880NLTAG

描述

MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN

庫存

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NTTFS6H880NLTAG 技術規格

類別 晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

製造商 onsemi

包裝 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 -

產品狀態 Active

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 80 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 6.6A (Ta), 22A (Tc)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 20µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 431 pF @ 40 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 3.1W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 Surface Mount

供應商設備包 8-WDFN (3.3x3.3)

包裝 / 外殼 8-PowerWDFN

基本產品編號 NTTFS6

資料表及文件

HTML 資料表

NTTFS6H880NLTAG-DG

數據表

NTTFS6H880NL

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
1,500
其他名稱
488-NTTFS6H880NLTAGCT
488-NTTFS6H880NLTAGDKR
488-NTTFS6H880NLTAGTR

替代零件

部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
RH6P040BHTB1
Rohm Semiconductor
8818
RH6P040BHTB1-DG
0.6831
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常見問題 (FAQ)

NTTFS6H880NLTAG N-通道金氧半場效電晶體的主要特點是什麼?

此款N-通道金氧半場效電晶體具有80V漏極-源極電壓,最大連續漏電流為6.6A(在25°C),脈衝漏電流可達22A。它提供低導通電阻(5A時Rds On為29mΩ,10V供電),高功率散熱能力,並採用適用於表面貼裝的8-WDFN封裝,適合各種高效能應用。

NTTFS6H880NLTAG這款MOSFET是否兼容常見電路電壓?

是的,該款MOSFET設計為可在4.5V至10V的驅動電壓範圍內工作,與標準邏輯電平電路及需最高80V的電源管理應用相容。

這款表面貼裝N-通道金氧半場效電晶體的常見應用範圍有哪些?

此款MOSFET非常適用於電源開關、馬達控制、直流-直流轉換器(DC-DC轉換器)以及其他需要高效率和快速開關的緊湊型表面貼裝應用。

選擇onsemi的NTTFS6H880NLTAG MOSFET有何優點?

其低Rds On確保導通損耗最小化,高功率散熱能力提升可靠性,且符合RoHS3環保規範,適用於重視環保的設計。此外,8-WDFN封裝體積緊湊,簡化組裝流程。

我如何購買NTTFS6H880NLTAG MOSFET?是否有保固?

此類MOSFET可大量直接從授權供應商購得,庫存充足。onsemi一般提供標準產品保固,並提供技術支援與售後服務,以滿足客戶需求。

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