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NVHL080N120SC1A
onsemi
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
1000400 全新原裝現貨
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
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NVHL080N120SC1A
產品概述
12938801
零件編號
NVHL080N120SC1A-DG製造商
onsemi
NVHL080N120SC1A
描述
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3庫存
1000400 全新原裝現貨
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NVHL080N120SC1A 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
31A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25, -15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1670 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
178W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
NVHL080
資料表及文件
HTML 資料表
NVHL080N120SC1A-DG
數據表
NVHL080N120SC1A
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
Reviews
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
onsemi NVHL080N120SC1A MOSFET的主要特點和規格有哪些？
NVHL080N120SC1A是一款N通道碳化硅(SiC)金氧半場效電晶體，額定電壓為1200V，在25°C時連續漏極電流為31A，專為高功率應用而設計。其具有在20A/20V條件下的低Rds On，為110毫歐，並且適用於-55°C至175°C的工作溫度範圍，符合汽車行業標準。
此款SiC MOSFET適用於哪些應用呢？
由於具有高電壓承受能力、效率高和熱性能優良，此款SiC MOSFET非常適合用於高壓電源轉換器、工業驅動器以及汽車電力系統。其堅固的構造使其能在高溫高電流的嚴苛環境中穩定運行。
NVHL080N120SC1A是否與標準穿孔式安裝方式兼容？
是的，該MOSFET採用TO-247-3封裝，專為穿孔式安裝設計，使其與電源電子及工業設備中常用的標準組裝流程兼容。
在此款MOSFET中使用碳化硅(SiC)技術有哪些優點？
碳化硅技術提供較傳統矽MOSFET更高的效率、更快的切換速度及更佳的熱性能，幫助降低能量損耗，提升系統的可靠性，特別適用於高壓應用。
此款MOSFET產品提供哪些保固或支援服務？
本產品為全新原廠onsemi正品，具有現貨庫存和良好之在市狀態。製造商通常提供技術支援與保固條款，請聯繫供應商以獲取詳細的售後支援與保固資訊。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
NVHL080N120SC1A CAD Models
onsemi NVHL080N120SC1A PCB symbols & footprints
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