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NVMFS005N10MCLT1G
onsemi
PTNG 100V LL SO8FL
688300 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS005N10MCLT1G
產品概述
12974637
零件編號
NVMFS005N10MCLT1G-DG製造商
onsemi
NVMFS005N10MCLT1G
描述
PTNG 100V LL SO8FL庫存
688300 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS005N10MCLT1G 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18.4A (Ta), 108A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 192µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4100 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 131W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN, 5 Leads
資料表及文件
HTML 資料表
NVMFS005N10MCLT1G-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
1,500
其他名稱
488-NVMFS005N10MCLT1GDKR
488-NVMFS005N10MCLT1GTR
488-NVMFS005N10MCLT1GCT
替代零件
部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
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Dec 02, 2025
DiGi Electronicsの発送はいつも正確で、感謝しています。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
N-通道MOSFET NVMFS005N10MCLT1G的主要特點是什麼？
此N-通道MOSFET具有100V漏極-源極電壓、25℃時最大連續漏極電流18.4A，以及在34A、10V條件下的低Rds On（5.1mΩ），非常適用於高效能電源應用。
NVMFS005N10MCLT1G是否兼容汽車電子系統？
是的，該MOSFET已通過汽車等級認證，符合AEC-Q101標準，確保在汽車環境中具備可靠性。
NVMFS005N10MCLT1G MOSFET提供哪些封裝型式？
此MOSFET提供表面黏著的8-PowerTDFN封裝（5x6mm）以及8-SOFL（小型框架）封裝，適合緊湊型電子設計。
NVMFS005N10MCLT1G在功率耗散與熱管理方面的表現如何？
其最大功率耗散為3.8W（環境溫度下），在適用散熱片的情況下可達131W，工作溫度範圍為-55°C至175°C，確保良好的熱性能。
選擇此MOSFET用於開關電源設計有哪些優點？
是的，其低Rds On、高電流承載能力以及高溫耐受性，使其成為高效切換且降低能耗、提升系統可靠性的理想選擇。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
NVMFS005N10MCLT1G CAD Models
onsemi NVMFS005N10MCLT1G PCB symbols & footprints
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