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NVMFS2D3P04M8LT1G
onsemi
MV8 P INITIAL PROGRAM
889091 全新原裝現貨
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G
產品概述
12974262
零件編號
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG製造商
onsemi
NVMFS2D3P04M8LT1G
描述
MV8 P INITIAL PROGRAM庫存
889091 全新原裝現貨
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
40 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.4V @ 2.7mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5985 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 205W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN, 5 Leads
資料表及文件
HTML 資料表
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
數據表
NVMFS2D3P04M8L
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
1,500
其他名稱
488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT
替代零件
部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
NVMFS2D3P04M8LT1G P-通道MOSFET的主要特點是什麼？
NVMFS2D3P04M8LT1G為一款P-通道MOSFET，具有40V漏源電壓、31A連續漏電流，以及在30A、10V條件下的極低Rds On，僅為2.2毫歐。該器件專為高效率與高可靠性之汽車及電子應用而設計。
NVMFS2D3P04M8LT1G是否適用於汽車領域？
是的，此MOSFET已通過AEC-Q101認證，非常適合用於對可靠性及耐溫範圍（-55°C至175°C）要求嚴格的汽車應用。
NVMFS2D3P04M8LT1G的封裝選項有哪些？
該MOSFET採用表面貼裝8腳PowerTDFN封裝（尺寸5x6毫米），非常適合緊湊型電子與汽車電路設計，符合RoHS3標準。
NVMFS2D3P04M8LT1G如何處理功率散熱與熱管理？
在環境溫度下可散發最高3.8瓦特的功率，若搭配適當的散熱片或熱墊，最高可達205瓦特。其最大工作溫度範圍為-55°C至175°C。
我可以從哪裡購買NVMFS2D3P04M8LT1G並且其供貨狀況如何？
NVMFS2D3P04M8LT1G庫存充足，一家知名供應商提供超過890,000個，能夠滿足您的採購需求，供貨穩定可靠。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
NVMFS2D3P04M8LT1G CAD Models
onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G PCB symbols & footprints
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