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MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
688400 全新原裝現貨
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G

產品概述

12938856

零件編號

NVMFS6H824NLT1G-DG

製造商

onsemi
NVMFS6H824NLT1G

描述

MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN

庫存

688400 全新原裝現貨
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G 技術規格

類別 晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

製造商 onsemi

包裝 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 -

產品狀態 Active

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 80 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 20A (Ta), 110A (Tc)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 140µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 40 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 3.8W (Ta), 116W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)

年級 Automotive

資格 AEC-Q101

安裝類型 Surface Mount

供應商設備包 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝 / 外殼 8-PowerTDFN, 5 Leads

基本產品編號 NVMFS6

資料表及文件

HTML 資料表

NVMFS6H824NLT1G-DG

數據表

NVMFS6H824NL

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
1,500
其他名稱
488-NVMFS6H824NLT1GTR
488-NVMFS6H824NLT1GCT
488-NVMFS6H824NLT1GDKR

替代零件

部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
RS6N120BHTB1
Rohm Semiconductor
2573
RS6N120BHTB1-DG
0.4224
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)

onsemi NVMFS6H824NLT1G MOSFET的主要特點有哪些?

此N通道MOSFET具有80V的Vds電壓,25°C時連續漏極電流為20A,並在10V Vgs條件下具有低達4毫歐的導通電阻(Rds On),非常適用於高效能電力切換應用。

onsemi NVMFS6H824NLT1G MOSFET是否適用於汽車專案?

是的,該MOSFET已通過AEC-Q101等級認證,具備汽車用可靠性能,能在嚴苛環境下穩定運作。

此表面貼裝N通道MOSFET的典型應用範圍有哪些?

它適用於電源管理、馬達控制、LED照明,以及其他需要高電流切換與低導通電阻的電路。

我應該如何正確處理與安裝onsemi NVMFS6H824NLT1G MOSFET?

此器件設計為5-DFN封裝的表面貼裝安裝,正確操作包括防靜電措施以及在PCB上的精確放置,以確保最佳性能。

onsemi NVMFS6H824NLT1G是否提供保固或售後支援?

是的,此MOSFET為全新原廠庫存商品,並可透過授權經銷商及onsemi客服渠道獲得支援。

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