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LMG1205YFXT
Texas Instruments
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
2180 全新原裝現貨
Half-Bridge Gate Driver IC TTL 12-DSBGA
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LMG1205YFXT
產品概述
1344643
零件編號
LMG1205YFXT-DG
LMG1205YFXT
描述
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA庫存
2180 全新原裝現貨
Half-Bridge Gate Driver IC TTL 12-DSBGA
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LMG1205YFXT 技術規格
類別
電源管理 (PMIC), 閘極驅動器
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
產品狀態
Active
DiGi-Electronics 可程式設計
Not Verified
從動配置
Half-Bridge
通道類型
Independent
驅動程序數量
2
澆口類型
N-Channel MOSFET
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
邏輯電壓 - VIL、VIH
1.76V, 1.89V
電流 - 峰值輸出（源、灌）
1.2A, 5A
輸入類型
TTL
高壓側電壓 - 最大值 （Bootstrap）
100 V
Rise / Fall Time （Typ） （上升/下降時間 （典型值））
7ns, 3.5ns
工作溫度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
12-WFBGA, DSBGA
供應商設備包
12-DSBGA
基本產品編號
LMG1205
資料表及文件
HTML 資料表
LMG1205YFXT-DG
製造商產品頁面
LMG1205YFXT Specifications
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
額外資訊
標準套餐
250
其他名稱
296-49744-2
296-49744-1
296-49744-6
LMG1205YFXT-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
德州儀器 LMG1205YFXT 半橋閘極驅動集成電路的主要特色有哪些？
LMG1205YFXT 為雙通道表面貼裝半橋閘極驅動器，專為N元技金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）設計，支援4.5V至5.5V的電源電壓範圍，具有高峰值源電流可達1.2A，吸電流可達5A。其超快速的升降沿時間確保高效能切換，並可在-40°C至125°C的溫度範圍內運行。
德州儀器 LMG1205YFXT 是否適用於各種電源管理應用？
是的，該IC適用於需要精確閘極驅動的電源管理應用，包括馬達控制、電源供應及太陽能逆變器。獨立通道配置使其在不同電路拓撲中具有高度靈活性。
LMG1205YFXT的尺寸規格與封裝細節為何？
LMG1205YFXT採用緊湊的12-WFBGA（晶片尺寸封裝）封裝，方便整合入各種設計中。符合RoHS3標準，且具有一級潮濕敏感等級，確保製造過程中之可靠性。
LMG1205YFXT在速度與效率方面的表現如何？
該閘極驅動器的升降沿時間分別為7納秒（升）與3.5納秒（降），支持高速開關運作，降低能量損失。此特性提升了整體電力轉換電路的效率。
購買LMG1205YFXT常見的售後服務與保固有哪些？
由於此IC為全新、原裝及有現貨，保證品質可靠，並享有供應商支持。建議請洽詢經銷商確認保固範圍與售後服務方案，以確保應用的長期穩定性。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
LMG1205YFXT CAD Models
Texas Instruments LMG1205YFXT PCB symbols & footprints
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