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TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
1943 全新原裝現貨
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ
產品概述
12939605
零件編號
TK200F04N1L,LXGQ-DG
TK200F04N1L,LXGQ
描述
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM庫存
1943 全新原裝現貨
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
U-MOSVIII-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
40 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
200A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
14920 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
375W (Tc)
工作溫度
175°C
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-220SM(W)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
TK200F04
資料表及文件
HTML 資料表
TK200F04N1L,LXGQ-DG
數據表
TK200F04N1L
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
TK200F04N1L,LXGQ(O
264-TK200F04N1LLXGQCT
264-TK200F04N1LLXGQDKR
264-TK200F04N1LLXGQTR
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Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L,LXGQ PCB symbols & footprints
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