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TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 全新原裝現貨
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ
產品概述
12994845
零件編號
TPHR6503PL1,LQ-DG
TPHR6503PL1,LQ
描述
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ庫存
68029 全新原裝現貨
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
U-MOSIX-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
150A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
10000 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
960mW (Ta), 210W (Tc)
工作溫度
175°C
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOP Advance (5x5.75)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
資料表及文件
HTML 資料表
TPHR6503PL1,LQ-DG
數據表
TPHR6503PL1
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
Reviews
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Dec 02, 2025
신속한 배송과 친절한 애프터서비스 덕분에 자주 구매하게 됩니다. 항상 신뢰하고 있습니다.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
配送が迅速で、サポートも丁寧でした。とても満足です。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
東芝UMOS9 SOP-ADV N型MOSFET的主要應用範圍是什麼？
由於其高電流容量與低Rds On，該MOSFET主要用於高電流切換應用，例如電源管理、馬達驅動和逆變系統。
東芝U-MOSIX-H系列MOSFET是否兼容標準表面貼裝電路板設計？
是的，該系列採用8-SOP先進封裝，適用於標準電路板組裝和緊湊型設計。
此款N型MOSFET的關鍵電氣規格有哪些？
支持漏源電壓30V，25°C時連續漏電流150A，且在50A、10V閘源電壓下具有低Rds On 0.65毫歐，確保高效的電力傳導。
該MOSFET能否在高溫環境下運作？其最大工作溫度是多少？
是的，該MOSFET可以在高達175°C的溫度下可靠運作，非常適合嚴苛的工業電力應用。
東芝此款MOSFET是否提供批發量的保固或庫存？
該產品現貨活躍，庫存超過68,514件，作為原裝新品，通常享有廠商保固及大量訂購支持。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
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