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UF3C120040K4S
Qorvo
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
68556 全新原裝現貨
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
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UF3C120040K4S
產品概述
12930662
零件編號
UF3C120040K4S-DG製造商
Qorvo
UF3C120040K4S
描述
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4庫存
68556 全新原裝現貨
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
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UF3C120040K4S 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Cascode SiCJFET)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
65A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 40A, 12V
Vgs（th） （最大值） @ Id
6V @ 10mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
429W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-4
包裝 / 外殼
TO-247-4
基本產品編號
UF3C120040
資料表及文件
HTML 資料表
UF3C120040K4S-DG
數據表
UF3C120040K4S
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
2312-UF3C120040K4S
Reviews
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Dec 02, 2025
문제 해결 능력이 뛰어나고 고객 중심적인 접근이 인상적입니다.
Dec 02, 2025
Je suis satisfait du système de tracking, c'est très pratique et fiable.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
SICFET N-通道MOSFET（UF3C120040K4S）的額定電壓與電流為何？
SICFET N-通道MOSFET支持1200V的漏極對源極電壓，並在25°C條件下具有65A的連續漏極電流，適用於高壓高電流的應用場景。
UF3C120040K4S MOSFET是否支援插腳式安裝，方便安裝嗎？
是的，該MOSFET採用TO-247-4封裝，為插腳式安裝方式，便於安裝，特別適合用於電源切換的應用。
在電子電路中使用類似UF3C120040K4S的碳化矽JFET（Cascode SiCJFET）有何主要優點？
碳化矽JFET相比傳統矽MOSFET具有較低的Rds(on)、更高的效率以及更佳的熱性能，適合高功率及高溫環境使用。
此MOSFET的工作溫度範圍及功率耗散極限為何？
該MOSFET的工作溫度範圍為-55°C至175°C，在散熱狀態下最高可耗散429瓦，確保在高功率運作時的可靠性。
UF3C120040K4S MOSFET符合RoHS規範並適用於工業用途嗎？
是的，該MOSFET符合RoHS3標準，並擁有多項認證，適用於工業、汽車及其他高可靠性需求的行業應用。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
UF3C120040K4S CAD Models
Qorvo UF3C120040K4S PCB symbols & footprints
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