SI2387DS-T1-GE3 >
SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 全新原裝現貨
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
請求報價 (明天發貨)
*數量
最低限1
SI2387DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (507 評分)

SI2387DS-T1-GE3

產品概述

12959113

零件編號

SI2387DS-T1-GE3-DG
SI2387DS-T1-GE3

描述

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

庫存

15100 全新原裝現貨
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
數量
最低限1

購買和查詢

質量保證

365 天品質保證 - 每個零件全面保障

90 天退款或換貨 – 有缺陷的部件?無憂無慮。

存貨有限,立即訂購 - 享受可靠零件,無憂無慮。

全球運輸及安全包裝

全球送貨 3-5 個工作日內

100% 防靜電包裝

每個訂單的實時追踪

安全及靈活支付

信用卡, VISA, 萬事達卡, PayPal, 西聯匯款, 電匯 (T/T) 及其他

所有付款已加密以確保安全

有現貨 (所有價格均以美元計算)
  • 數量 目標價格 總價
  • 1 8.2382 8.2382
透過線上報價獲得更好的價格
請求報價 (明天發貨)
* 數量
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您

SI2387DS-T1-GE3 技術規格

類別 晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

製造商 Vishay

包裝 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 TrenchFET® Gen IV

產品狀態 Active

FET 類型 P-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 80 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 2.1A (Ta), 3A (Tc)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 164mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 10.2 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 395 pF @ 40 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 Surface Mount

供應商設備包 SOT-23-3 (TO-236)

包裝 / 外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

資料表及文件

HTML 資料表

SI2387DS-T1-GE3-DG

數據表

SI2387DS

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
햇***한길
Dec 02, 2025
5.0
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
Mar***aute
Dec 02, 2025
5.0
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
Galaxi***intaine
Dec 02, 2025
5.0
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
お***ま
Dec 02, 2025
5.0
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
新***イ
Dec 02, 2025
5.0
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした!
Charm***Chords
Dec 02, 2025
5.0
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
Brighte***houghts
Dec 02, 2025
5.0
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
Evergr***Voyage
Dec 02, 2025
5.0
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

常見問題 (FAQ)

Vishay SI2387DS-T1-GE3 P-通道MOSFET的主要特點有哪些?

Vishay SI2387DS-T1-GE3是一款具有80伏特電壓等級的P-通道MOSFET,連續漏電流為2.1安培(在25°C),在10伏特時具有低Rds(on)為164毫歐的特性。此器件專為表面貼裝應用設計,採用SOT-23封裝,並運用槽道工藝以提升切換性能和效率。

Vishay SI2387DS-T1-GE3適用於高頻切換應用嗎?

可以,該MOSFET具有較低的閘極電荷(在10V時為10.2納庫倫)和較低的輸入電容(在40V時為395皮法拉),因此非常適合高速切換和高效能電源管理,適用於各種電子設備。

SI2387DS-T1-GE3 P-通道MOSFET在電子電路中的常見用途有哪些?

由於其高電壓能力和低導通電阻,這款P-通道MOSFET經常用於負載切換、電源管理以及高側開關,適用於消費電子、汽車電子與工業控制等應用領域。

Vishay SI2387DS-T1-GE3是否兼容標準的表面黏著組裝工藝?

是的,該器件採用SOT-23-3封裝,廣泛用於表面貼裝技術,能夠與標準PCB組裝流程和自動化生產工藝相容。

Vishay SI2387DS-T1-GE3 MOSFET提供哪些售後支援服務?

由於該產品由Vishay生產,並且標示為現貨在庫,技術支援、資料表以及保修服務通常可以通過授權經銷商及Vishay客服渠道獲得。

質量保證 (QC)

DiGi 透過專業檢查和批次抽樣,確保每個電子元件的品質和真實性,保證可靠的貨源、穩定的性能,以及符合技術規格,幫助客戶降低供應鏈風險,自信地在生產中使用元件。

質量保證
假貨及缺陷預防

假貨及缺陷預防

全面篩查以識別假貨、翻新或有缺陷的零件,確保只交付正品及合規的配件。

視覺及包裝檢查

視覺及包裝檢查

電氣性能驗證

驗證零件外觀、標記、日期碼、包裝完整性及標籤一致性,以確保可追溯性和合規性

生命與可靠性評估

DiGi 認證
博客及帖子
SI2387DS-T1-GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
還沒有帳戶? 註冊