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SIDR626LDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
18135 全新原裝現貨
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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SIDR626LDP-T1-RE3
產品概述
12945161
零件編號
SIDR626LDP-T1-RE3-DG製造商
Vishay Siliconix
SIDR626LDP-T1-RE3
描述
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK庫存
18135 全新原裝現貨
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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SIDR626LDP-T1-RE3 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET® Gen IV
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5900 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
6.25W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® SO-8DC
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8
基本產品編號
SIDR626
資料表及文件
HTML 資料表
SIDR626LDP-T1-RE3-DG
數據表
SiDR626LDP
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
742-SIDR626LDP-T1-RE3TR
742-SIDR626LDP-T1-RE3CT
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質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
SIDR626LDP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIDR626LDP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
