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SIHG21N60EF-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
1360 全新原裝現貨
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG21N60EF-GE3
產品概述
12786860
零件編號
SIHG21N60EF-GE3-DG製造商
Vishay Siliconix
SIHG21N60EF-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC庫存
1360 全新原裝現貨
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG21N60EF-GE3 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
21A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2030 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
227W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247AC
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
SIHG21
資料表及文件
HTML 資料表
SIHG21N60EF-GE3-DG
數據表
SIHG21N60EF
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
25
Reviews
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Dec 02, 2025
Shipping was faster than I anticipated, and the process was very smooth from start to finish.
Dec 02, 2025
Very impressed with how swiftly they managed my order and their professional customer service.
Dec 02, 2025
I was impressed with the level of support I received; they truly prioritized customer satisfaction.
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常見問題 (FAQ)
Vishay SIHG21N60EF-GE3 N沟道MOSFET的主要规格参数有哪些？
该MOSFET具有600V的漏极-源极电压，25°C时连续漏电流为21A，最大功率耗散达227W。设计用于高压应用，其在11A和10V驱动电压条件下的Rds(on)为176毫欧，具有低导通电阻。
Vishay SIHG21N60EF-GE3是否适用于高压开关电路？
是的，凭借600V的漏极-源极电压和强大的电流承载能力，这款MOSFET非常适合用于高压开关电源及电机控制线路。
SIHG21N60EF-GE3 MOSFET采用何种封装类型？
它采用通孔的TO-247AC封装，方便在需要可靠机械连接和散热的电路板上进行容易的安装。
Vishay SIHG21N60EF-GE3在热性能和电性能方面表现如何？
该MOSFET在-55°C至150°C的温度范围内都能高效工作，具备良好的功率耗散能力和低Rds(on)，确保运行过程中的稳定性。
Vishay SIHG21N60EF-GE3是否符合环保及安全标准？
是的，该产品符合RoHS3标准，确保不含有害物质，适合环保要求严格的电子制造行业。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
SIHG21N60EF-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHG21N60EF-GE3 PCB symbols & footprints
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