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SIHP30N60E-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
1541 全新原裝現貨
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP30N60E-E3
產品概述
12786217
零件編號
SIHP30N60E-E3-DG製造商
Vishay Siliconix
SIHP30N60E-E3
描述
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB庫存
1541 全新原裝現貨
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP30N60E-E3 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
29A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
SIHP30
資料表及文件
HTML 資料表
SIHP30N60E-E3-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
SIHP30N60EE3
替代零件
部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
Vishay SIHP30N60E-E3 MOSFET 的主要特點有哪些？
Vishay SIHP30N60E-E3 為一款N通道MOSFET，額定電壓為600V，連續漏極電流為29A，專為高功率應用而設，並具有TO-220AB封裝，方便穿孔式安裝。
Vishay SIHP30N60E-E3適合用於高電壓切換應用嗎？
是的，該MOSFET的漏源電壓為600V，非常適合用於電源供應器與工業設備中的高電壓切換任務。
該MOSFET的典型Rds On值和驅動電壓要求是多少？
最大Rds On為125毫歐（mΩ），在15A電流與10V閘源電壓條件下，最佳性能需至少10V的閘極驅動電壓。
Vishay SIHP30N60E-E3這款MOSFET符合RoHS標準嗎？
是的，該MOSFET符合RoHS3標準，確保環保且不含有害物質。
我可以大量購買這款MOSFET嗎？目前的庫存量是多少？
目前庫存約有1779件，適合大量批發訂購，並可即時從授權供應商處購得。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
SIHP30N60E-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHP30N60E-E3 PCB symbols & footprints
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