SIHP30N60E-E3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (307 評分)

SIHP30N60E-E3

產品概述

12786217

零件編號

SIHP30N60E-E3-DG

製造商

Vishay Siliconix
SIHP30N60E-E3

描述

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

庫存

線上報價請求
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
單個FET，MOSFET
SIHP30N60E-E3 數據表
數量
最低限1

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SIHP30N60E-E3 技術規格

類別 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET

製造商 Vishay

包裝 -

系列 -

產品狀態 Active

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 （Vdss） 600 V

電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C 29A (Tc)

驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on） 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 15A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 4V @ 250µA

柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs 130 nC @ 10 V

Vgs （最大值） ±30V

輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds 2600 pF @ 100 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 250W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 Through Hole

供應商設備包 TO-220AB

包裝 / 外殼 TO-220-3

基本產品編號 SIHP30

資料表及文件

資料表

下載 SIHP30N60E-E3 產品規格 (PDF)
HTML 資料表

SIHP30N60E-E3-DG
數據表

SiHP30N60E

Packaging Information

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL） 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
SIHP30N60EE3

替代模型

部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
470
IPP65R125C7XKSA1-DG
2.09
MFR Recommended
STP34NM60N
STMicroelectronics
458
STP34NM60N-DG
5.09
MFR Recommended
AOT42S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
16990
AOT42S60L-DG
2.63
MFR Recommended
STP42N60M2-EP
STMicroelectronics
1000
STP42N60M2-EP-DG
3.29
Direct
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
1235
IPP60R099CPXKSA1-DG
4.08
MFR Recommended
DIGI 認證
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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