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SIZ270DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
695990 全新原裝現貨
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ270DT-T1-GE3
產品概述
12939803
零件編號
SIZ270DT-T1-GE3-DG製造商
Vishay Siliconix
SIZ270DT-T1-GE3
描述
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR庫存
695990 全新原裝現貨
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ270DT-T1-GE3 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET® Gen IV
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
100V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
27nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
860pF @ 50V, 845pF @ 50V
功率 - 最大值
4.3W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerWDFN
供應商設備包
8-PowerPair® (3.3x3.3)
基本產品編號
SIZ270
資料表及文件
HTML 資料表
SIZ270DT-T1-GE3-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
742-SIZ270DT-T1-GE3CT
742-SIZ270DT-T1-GE3DKR
742-SIZ270DT-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
일처리 속도와 친절도가 정말 뛰어나요. 고객의 요구에 늘 귀 기울여 주셔서 감사했어요.
Dec 02, 2025
售後服務細心周到，遇到問題店家都積極協助解決，體驗非常好。
Dec 02, 2025
產品的耐用性非常棒，歷經多次使用仍然保持良好狀態，證明他們對品質的堅持。
Dec 02, 2025
I’m impressed by their cost-effective offerings and eco-friendly approach to packaging.
Dec 02, 2025
I appreciate their punctual shipping; it helps me plan my projects without delays.
Dec 02, 2025
Excellent communication and tracking updates during shipping.
Dec 02, 2025
I appreciate how quickly they shipped my order; it was at my doorstep before I even expected.
Dec 02, 2025
Their prompt and professional after-sales responses enhance my overall experience.
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常見問題 (FAQ)
Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET陣列的主要特點是什麼？
Vishay SIZ270DT-T1-GE3為雙N通道MOSFET陣列，具有100V漏極至源極電壓和高電流處理能力，適用於表面貼裝應用，採用8-PowerPair®封裝。它具備低Rds On、高效散熱與可靠性能，並在指定工作溫度範圍內表現穩定。
我如何在電子電路中使用Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET陣列？
此MOSFET陣列非常適合用於高效率開關控制、電源管理與馬達控制電路。其雙N通道配置可實現緊湊設計，簡化閘極驅動，適用於各類電力電子系統。
Vishay SIZ270DT-T1-GE3是否與我現有的電路設計兼容？
是的，該MOSFET陣列兼容標準的表面貼裝PCB設計，需施加10V閘極電壓以達到最佳性能。其規格符合高電流開關與電力轉換應用的普遍要求。
選擇Vishay系列TrenchFET®第四代MOSFET的優點是什麼？
TrenchFET®第四代MOSFET提供更低的Rds On、更高的效率與較少的導通損失，提升整體系統性能。同時，設計用於高溫環境下的可靠運作，具備強大的電力處理能力。
購買Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET陣列時應了解哪些售後與保固資訊？
此MOSFET陣列為現貨新原廠正品，符合RoHS3規範，且具備無限的潮濕敏感等級。詳情請參閱經銷商或Vishay官方客服提供的售後支援與保固規定。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
SIZ270DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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