假貨及缺陷預防
視覺及包裝檢查
電氣性能驗證
服務電郵:
[email protected]
>
SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
240100 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
請求報價
(明天發貨)
*數量
最低限1
最低限1
5.0 / 5.0
- (431 評分)
SQJQ112E-T1_GE3
產品概述
12965597
零件編號
SQJQ112E-T1_GE3-DG製造商
Vishay Siliconix
SQJQ112E-T1_GE3
描述
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)庫存
240100 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
數量
最低限1
最低限1
購買和查詢
保用及退貨
如何訂購
運送與交付
質量保證
365 天品質保證 - 每個零件全面保障
90 天退款或換貨 – 有缺陷的部件？無憂無慮。
存貨有限，立即訂購 - 享受可靠零件，無憂無慮。
全球運輸及安全包裝
全球送貨 3-5 個工作日內
100% 防靜電包裝
每個訂單的實時追踪
安全及靈活支付
信用卡, VISA, 萬事達卡, PayPal, 西聯匯款, 電匯 (T/T) 及其他
所有付款已加密以確保安全
SQJQ112E-T1_GE3 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET® Gen IV
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
296A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
272 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
15945 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
600W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® 8 x 8
包裝 / 外殼
PowerPAK® 8 x 8
資料表及文件
HTML 資料表
SQJQ112E-T1_GE3-DG
數據表
SQJQ112E
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
배송이 빠르고, 포장재가 재활용 가능해서 기쁜 마음으로 받았어요.
Dec 02, 2025
Ich wurde nicht enttäuscht von der Geschwindigkeit, mit der meine Bestellung versandt wurde – sehr schnell und zuverlässig.
Dec 02, 2025
Ich war angenehm überrascht, wie zügig meine Bestellung bei DiGi Electronics ankam. Das hat meinen Tag definitiv verbessert.
Dec 02, 2025
Impressed with their responsiveness and clear communication.
Dec 02, 2025
Their commitment to continuous support ensures that we always have help when needed.
Dec 02, 2025
The company's proactive after-sales approach reduces downtime and increases productivity.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
常見問題 (FAQ)
Vishay 汽车用 N 通道 MOSFET（SQJQ112E-T1_GE3）的主要特點是什麼？
此MOSFET具有100V電壓額定值，持續漏極電流高達296A，最大功率耗散為600W。具備低Rds On（20A時為2.53毫歐，10V時），專為汽車應用設計，確保在高功率環境下的可靠性能。
Vishay SQJQ112E-T1_GE3是否適用於汽車電子系統？
是的，此MOSFET已獲得AEC-Q101認證，適用於汽車用電源管理、馬達驅動以及要求高耐久性與可靠性的工業電子系統。
這款功率MOSFET的工作溫度範圍是多少？
Vishay SQJQ112E-T1_GE3的工作溫度範圍為-55°C至175°C（TJ），適用於嚴苛的汽車與工業環境。
此MOSFET支持表面安裝技術（SMT）以便於PCB安裝嗎？
支持，它採用PowerPAK® 8 x 8封裝，為表面貼裝型，便於組裝並具有良好的熱性能。
關於此MOSFET的電氣特性與可靠性，我應該了解些什麼？
此MOSFET的閘極閾值電壓約為3.5V，閘極電荷低至272奈庫，具備優良的電流承載能力，确保低導通損耗與高穩定性，適用於苛刻的應用環境。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
SQJQ112E-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
