SUP60N10-16L-E3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (167 評分)

SUP60N10-16L-E3

產品概述

12787452

零件編號

SUP60N10-16L-E3-DG
SUP60N10-16L-E3

描述

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
N-Channel 100 V 60A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
數量
最低限1

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SUP60N10-16L-E3 技術規格

類別 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

製造商 Vishay

包裝 -

系列 TrenchFET®

產品狀態 Obsolete

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 100 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 60A (Tc)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 150W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 Through Hole

供應商設備包 TO-220AB

包裝 / 外殼 TO-220-3

基本產品編號 SUP60

資料表及文件

HTML 資料表

SUP60N10-16L-E3-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
500

替代模型

部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
IRF3710ZPBF
Infineon Technologies
1894
IRF3710ZPBF-DG
0.60
MFR Recommended
PSMN009-100P,127
NXP Semiconductors
291
PSMN009-100P,127-DG
1.44
MFR Recommended
PSMN015-100P,127
Nexperia USA Inc.
7793
PSMN015-100P,127-DG
1.06
MFR Recommended
IPP147N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
17762
IPP147N12N3GXKSA1-DG
0.75
MFR Recommended
IPP180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
170
IPP180N10N3GXKSA1-DG
0.42
MFR Recommended
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