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SUP70060E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
1407 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SUP70060E-GE3
產品概述
12787500
零件編號
SUP70060E-GE3-DG製造商
Vishay Siliconix
SUP70060E-GE3
描述
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB庫存
1407 全新原裝現貨
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SUP70060E-GE3 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Bulk
系列
ThunderFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
131A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3330 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
200W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
SUP70060
資料表及文件
HTML 資料表
SUP70060E-GE3-DG
數據表
SUP70060E
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
額外資訊
標準套餐
50
替代零件
部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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常見問題 (FAQ)
Vishay SUP70060E-GE3 MOSFET 的主要特點是什麼？
SUP70060E-GE3 是一款 N 通道 MOSFET，額定電壓 100V，最大電流 131A，適用於高功率應用。它具有低 Rds On（在 30A 與 10V 時最大為 5.8 毫歐），高功率耗散能力（200W），並設計用於 TO-220AB 插腳式封裝的穿孔式安裝，適合高性能電子設計。
Vishay SUP70060E-GE3 是否適用於大電流切換與功率管理？
是的，該 MOSFET 非常適合大電流切換，連續漏極電流在 25°C 時為 131A，最大耗散功率可達 200W，非常適用於電源供應器、馬達驅動等高要求應用場景。
SUP70060E-GE3 MOSFET 的工作溫度範圍是什麼？
該裝置在 -55°C 至 175°C 的溫度範圍內都能有效操作，能確保在各種環境條件下都具備可靠的性能表現。
Vishay SUP70060E-GE3 是否與標準閘極驅動電壓相容？
是的，它可以在最大 10V 的閘極驅動電壓下達到最佳的 Rds On 與切換性能，與常用於電力電子的閘極驅動電路相容。
Vishay SUP70060E-GE3 如何滿足合規性與可靠性要求？
此 MOSFET 符合 RoHS3 標準，配備散裝包裝，濕氣敏感等級為 1，確保產品的品質、安全性與製造及維修時的便利性。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
SUP70060E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUP70060E-GE3 PCB symbols & footprints
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