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SQJ148EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
100300 全新原裝現貨
N-Channel 40 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ148EP-T1_GE3
產品概述
13008614
零件編號
SQJ148EP-T1_GE3-DG製造商
Vishay Siliconix
SQJ148EP-T1_GE3
描述
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8庫存
100300 全新原裝現貨
N-Channel 40 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ148EP-T1_GE3 技術規格
類別
晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
40 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
15A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8
基本產品編號
SQJ148
資料表及文件
HTML 資料表
SQJ148EP-T1_GE3-DG
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常見問題 (FAQ)
Vishay SQJ148EP-T1_GE3 N沟道MOSFET的主要特點是什麼？
Vishay SQJ148EP-T1_GE3是一款額定電壓40V、額定電流15A的N沟道功率MOSFET，具有低Rds_ON（在7A、10V條件下為33毫歐），適用於高效開關應用，並採用PowerPAK® SO-8封裝，方便表面安裝。
Vishay SQJ148EP-T1_GE3 MOSFET適用於哪些應用範圍？
此款MOSFET非常適用於汽車電子、電源管理、電機控制及其他需要可靠高效切換的高性能電子電路，特別是在-55°C至175°C的溫度範圍內具有良好性能。
Vishay SQJ148EP-T1_GE3是否與標準閘極驅動電壓相容？
是的，該MOSFET可在4.5V和10V閘極電壓下驅動，具有良好的兼容性和靈活性，以配合不同的電源和控制電路。
使用PowerPAK® SO-8封裝對此MOSFET有何優點？
PowerPAK® SO-8封裝具有出色的熱性能、緊湊的體積以及可靠的表面安裝能力，有助於散熱效率的提升和電路設計的空間節省。
Vishay SQJ148EP-T1_GE3符合汽車行業標準嗎？
是的，這款MOSFET符合AEC-Q101標準，適用於需要高可靠性和耐久性的汽車應用。
質量保證 (QC)
DiGi 透過專業檢查和批次抽樣，確保每個電子元件的品質和真實性，保證可靠的貨源、穩定的性能，以及符合技術規格，幫助客戶降低供應鏈風險，自信地在生產中使用元件。
SQJ148EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ148EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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