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SUM110P08-11L-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
1919 全新原裝現貨
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix
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SUM110P08-11L-E3

產品概述

13006245

零件編號

SUM110P08-11L-E3-DG
SUM110P08-11L-E3

描述

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

庫存

1919 全新原裝現貨
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SUM110P08-11L-E3 技術規格

類別 晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET

製造商 Vishay

包裝 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

系列 TrenchFET®

包裝 Tape & Reel (TR)

零件狀態 Active

FET 類型 P-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 (Vdss) 80 V

電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C 110A (Tc)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA

柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V

Vgs (最大值) ±20V

輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds 10850 pF @ 40 V

FET 特性 -

功率耗散(最大值) 13.6W (Ta), 375W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 Surface Mount

供應商設備包 TO-263 (D2PAK)

包裝 / 外殼 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

基本產品編號 SUM110

資料表及文件

HTML 資料表

SUM110P08-11L-E3-DG

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常見問題 (FAQ)

Vishay P-Channel MOSFET SUM110P08-11L-E3的主要特點是什麼?

SUM110P08-11L-E3 是一款P-通道MOSFET,具有80V漏極至源極電壓、110A持續漏極電流,且低Rds On為11.2毫歐。此晶體管設計用於高效率的電力開關應用,最大功率耗散為13.6瓦,適用於環境溫度。其採用表面安裝的TO-263封裝,便於整合於各種電路板。

Vishay的TrenchFET系列中的此款P-通道MOSFET適用於哪些應用場景?

此MOSFET非常適合用於電源管理、負載切換、馬達控制及其他需要高電流切換的應用。它能在高達175°C的工作溫度下可靠運作,其高電流容量與低導通阻值,使其適用於汽車電子、工業控制及消費電子產品。

Vishay的SUM110P08-11L-E3與標準電路板兼容嗎?採用何種安裝方式?

是的,這款MOSFET採用表面安裝的TO-263(D2PAK)封裝,與標準表面貼裝電路板(SMT)設計相容。適合緊湊型組裝和高密度電路板布局。

使用此低Rds On和高電流等級的MOSFET有何優點?

低Rds On能降低功率損耗與熱產生,提高整體效率,並降低散熱需求。高電流容量讓其能應對高功率負載,是高功率切換應用中的可靠選擇,提升系統的穩定性與耐久性。

我可以如何購買此Vishay MOSFET?其庫存情況如何?

Vishay SUM110P08-11L-E3 提供帶卷包裝,庫存超過2,370個單位,能快速滿足大量或快速周轉的項目需求。您可透過授權經銷商或電子零件供應商直接購買,享有便捷的採購途徑。

質量保證 (QC)

DiGi 透過專業檢查和批次抽樣,確保每個電子元件的品質和真實性,保證可靠的貨源、穩定的性能,以及符合技術規格,幫助客戶降低供應鏈風險,自信地在生產中使用元件。

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