SUP90N15-18P-E3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (98 評分)

SUP90N15-18P-E3

產品概述

13007942

零件編號

SUP90N15-18P-E3-DG

製造商

Vishay Siliconix
SUP90N15-18P-E3

描述

MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB

庫存

線上報價請求
N-Channel 150 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
單個FET，MOSFET
SUP90N15-18P-E3 數據表
數量
最低限1

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SUP90N15-18P-E3 技術規格

類別 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET

製造商 Vishay

包裝 -

系列 TrenchFET®

包裝 Tube

零件狀態 Obsolete

FET 類型 N-Channel

科技 MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓 （Vdss） 150 V

電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C 90A (Tc)

驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on） 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V

Vgs（th） （最大值） @ Id 4.5V @ 250µA

柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs 100 nC @ 10 V

Vgs （最大值） ±20V

輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds 4180 pF @ 75 V

FET 特性 -

功率耗散（最大值） 3.75W (Ta), 375W (Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 Through Hole

供應商設備包 TO-220AB

包裝 / 外殼 TO-220-3

基本產品編號 SUP90

資料表及文件

資料表

下載 SUP90N15-18P-E3 產品規格 (PDF)
HTML 資料表

SUP90N15-18P-E3-DG
數據表

IRF520PBF

環境及出口分類

RoHS 狀態 ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL） 1 (Unlimited)
REACH 狀態 REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

額外資訊

標準套餐
500

替代模型

部件編號
製造商
可用數量
部件號碼
單位價格
替代類型
IRFB4228PBF
Infineon Technologies
979
IRFB4228PBF-DG
1.84
MFR Recommended
IPP200N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
10256
IPP200N15N3GXKSA1-DG
1.32
MFR Recommended
IRFB4321PBF
Infineon Technologies
228
IRFB4321PBF-DG
1.36
MFR Recommended
FDP2532
onsemi
線上報價請求
FDP2532-DG
1.60
MFR Recommended
SUP85N15-21-E3
Vishay Siliconix
線上報價請求
SUP85N15-21-E3-DG
2.33
MFR Recommended
DIGI 認證
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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